반도체 소자 및 집적회로 연구실(S!LK)(지도교수: 최성진, 김대환, 이윤정) 학생들이 세계 최대 기술 전문가 모임인 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers) 서울 섹션(Seoul Section)이 주최한 '2025 Student Paper Contest'에서 우수한 성과를 거두며 동상을 수상했다.

이번 경진대회에서 박사, 석사과정 학생들은 차세대 반도체 소재인 탄소나노튜브(CNT)와 산화물 반도체(IGZO)를 활용한 혁신적인 소자 기술 및 응용 연구를 발표하여 학계의 주목을 받았다. 수상자와 주요 연구 내용은 다음과 같다.

정성현 연구원은 "A New Paradigm of Carbon Nanotube Transistors: Multi-Valued Logic through Vertical Stacking"을 주제로, 수직 적층 공정을 도입하여 기존 이진 논리의 한계를 뛰어넘는 다치 논리(Multi-Valued Logic) 소자 구현의 새로운 패러다임을 제시하여 높은 평가를 받았다.

이한빈 연구원은 "Electrical Effects of Gate-Stack Engineering in Short Channel CNT Network Transistors" 논문을 통해, 미세 공정의 핵심인 숏 채널(Short Channel) CNT 네트워크 트랜지스터에서 게이트 스택(Gate-Stack) 엔지니어링이 소자의 전기적 특성에 미치는 영향을 심도 있게 규명했다.

박소정 연구원은 "Wafer-Scale Split-Channel a-IGZO TFTs for Hump-Free and Stress-Robust Operation" 연구를 발표했다. 차세대 디스플레이 및 메모리 소자로 주목받는 a-IGZO 박막 트랜지스터(TFT)에서 고질적인 문제인 험프(Hump) 현상을 억제하고, 전기적 스트레스에 강한 웨이퍼 스케일의 분할 채널(Split-Channel) 구조를 제안했다.

박지원 연구원은 "End-to-End Process-to-Application Demonstration of Variability-Engineered Underlap CNT Network FETs for Physical Unclonable Functions"를 주제로, 하드웨어 보안 기술의 핵심인 물리적 복제 방지 기능(PUF)을 위해 가변성을 제어한 언더랩(Underlap) CNT 네트워크 FET를 개발하고, 공정부터 실제 응용까지 전 과정을 성공적으로 입증했다.

지도교수인 최성진 교수는 "이번 수상은 학생들이 차세대 반도체 소자 분야에서 끊임없이 탐구하고 도전해 온 결실"이라며, "앞으로도 학생들이 글로벌 경쟁력을 갖춘 연구자로 성장할 수 있도록 지원을 아끼지 않겠다"고 밝혔다.